三星明年将成全球首个提供3DSiP的代工厂，3nm2020年试产
发表时间：2023年01月23日浏览量：
本文摘要：FD-SOI技术，并将沦为GlobalFoundries的22FDX和12FDX产品强劲的竞争对手。三星代工厂想在2019年开始用于其18FDS开始风险生产，所以HVM之前2020。 该技术使用与三星14LPE / 14LPP完全相同的BEOL点对点（即最初为其20纳米平面工艺研发的BEOL），但使用了新的晶体管和FEOL。
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FD-SOI技术，并将沦为GlobalFoundries的22FDX和12FDX产品强劲的竞争对手。三星代工厂想在2019年开始用于其18FDS开始风险生产，所以HVM之前2020。
该技术使用与三星14LPE / 14LPP完全相同的BEOL点对点（即最初为其20纳米平面工艺研发的BEOL），但使用了新的晶体管和FEOL。三星允诺，与其28FDS比起，18FDS将使性能提升20％（在完全相同的复杂性和功率下），功率减少40％（在完全相同的频率和复杂度下），并且芯片面积增大30％。尤其最重要的是，18FDS将反对RF和eMRAM，使得三星代工厂能符合2020年及以后的5G时代RF和嵌入式存储器的各种应用于市场需求。3D系统级PCB在2019年获取芯片PCB技术近来显得更加最重要，因为将所有器件构建到单个处理器中显得更加艰难和便宜。
三星（与台积电和GlobalFoundries一样）早已为简单产品获取了许多PCB解决方案，例如用作移动SoC的FOPLP-PoP和用作HBM2 DRAM芯片的I-Cube（2.5D）。明年三星将获取其3D SiP（系统级PCB）解决方案，使其需要将各种器件PCB在一个面积较小的三维PCB中。
三星代工厂的3D SiP将沦为业界首个用作异构3D SiP的技术之一（目前所有SiP都是2D）。PCB解决方案将使半导体合约制造商需要用于几乎有所不同工艺技术生产的元件装配SiP。不过，三星的代工厂近日经常出现了丧命事故，参见《三星韩国芯片工厂二氧化碳外泄致一杀两伤，为何事故时有发生？。
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